近日，無錫市場景創(chuàng)新大會隆重舉行。會上，無錫市發(fā)展和改革委員會圍繞科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展等五大重點(diǎn)場景應(yīng)用方向發(fā)布了《2025 年無錫市場景清單(第一批)》。廣電計量MOS FET/IGBT 動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案成功入選其中，這無疑是對廣電計量技術(shù)實力與行業(yè)貢獻(xiàn)的高度認(rèn)可。

無錫市場景創(chuàng)新大會
 

　　在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，準(zhǔn)確測量MOS FET/IGBT 的動態(tài)參數(shù)對器件開關(guān)性能起決定性作用。廣電計量MOS FET/IGBT 動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案致力于對器件在不同環(huán)境下特性的測試，可以通過修改驅(qū)動模塊和夾具模塊的搭建，解決在整機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行動態(tài)參數(shù)測試時無法對多樣功率器件模塊測試問題，使測試平臺可以兼容更多封裝類型的模塊功率器件測試。這種方法可以根據(jù)樣品封裝進(jìn)行調(diào)整，適用性更廣，且分模塊搭建可以降低搭建成本，也更方便調(diào)整由于接線問題導(dǎo)致的測試波形不穩(wěn)定。這一系統(tǒng)的創(chuàng)新性和實用性，使其成為眾多企業(yè)在相關(guān)測試環(huán)節(jié)，也正是入選清單的關(guān)鍵技術(shù)因素。
 

　　廣電計量功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體測試分析服務(wù)
 

　　面對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)雜工藝與高精尖檢測需求，公司不斷加大研發(fā)投入，引進(jìn)國際前沿檢測設(shè)備，具備功率半導(dǎo)體器件的全參數(shù)測試能力。
 

　　●針對以SiC為代表的功率器件高壓、高溫、大功率等特點(diǎn)，廣電計量采用全新的硬件設(shè)計方案及制板工藝，成功實現(xiàn)高達(dá)1000V以上的HV-H3TRB和HV-HAST和高達(dá)225℃的HTRG和HTGB試驗?zāi)芰?，充分驗證第三代半導(dǎo)體功率器件的極限工作穩(wěn)定性。
 

　　●針對SiC、GaN高速工作的應(yīng)用場景，現(xiàn)行的基于Si器件的測試技術(shù)及設(shè)備已難以有效模擬出器件偏置下的應(yīng)力狀態(tài)的工作壽命。廣電計量積極開發(fā)DRB、DGS、AC-HTC、DHTOL等各項動態(tài)可靠性驗證技術(shù)，充分驗證第三代半導(dǎo)體功率器件的實際工作穩(wěn)定性。
 

　　●為國內(nèi)三分之二的功率器件企業(yè)提供參數(shù)測試、可靠性試驗及失效分析。
 

　　●第三代半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域合作客戶超過80家，樣品數(shù)量三十余萬件。